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ASML近日宣布，已與長期光學(xué)合作伙伴蔡司（Carl Zeiss）共同啟動下一代Hyper NA EUV光刻機的研發(fā)，目標(biāo)實現(xiàn)單次曝光5nm分辨率，以滿足2035年及更遠未來的先進芯片制造需求。這一突破性技術(shù)將推動半導(dǎo)體行業(yè)突破現(xiàn)有光刻極限，為人工智能、高性能計算及量子芯片等前沿領(lǐng)域提供關(guān)鍵支持。 當(dāng)前，ASML最先進的High NA EUV光刻機已實現(xiàn)單次曝光8nm分辨率，支持3nm至5nm制程量產(chǎn)。然而，隨著芯片工藝向2nm及以下節(jié)點邁進，現(xiàn)有技術(shù)面臨分辨率瓶頸。Hyper NA EUV的核心創(chuàng)新在于數(shù)值孔徑（NA）的大幅提升，目標(biāo)將NA值從目前的0.55進一步提高至0.7甚至更高，從而在相同波長下提升30%-40%的分辨率，使單次曝光5nm成為可能。 數(shù)值孔徑的提升依賴于光學(xué)系統(tǒng)的重新設(shè)計，包括更大尺寸的物鏡、納米級精度的鏡面曲率控制，以及克服光線折射帶來的像差問題。蔡司憑借其在精密光學(xué)領(lǐng)域的深厚積累，將與ASML共同攻克這些技術(shù)挑戰(zhàn)。若研發(fā)成功，Hyper NA EUV將顯著減少多重曝光的依賴，提高生產(chǎn)效率并降低芯片制造成本，同時提升良率與圖案精度。 ASML表示，盡管尚未公布Hyper NA EUV的具體量產(chǎn)時間表，但該技術(shù)的研發(fā)已受到臺積電、三星、英特爾等全球領(lǐng)先晶圓廠的密切關(guān)注。隨著摩爾定律逼近物理極限，Hyper NA EUV有望成為延續(xù)半導(dǎo)體技術(shù)演進的關(guān)鍵驅(qū)動力，為2035年后的芯片制造奠定基礎(chǔ)。 |
