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7月30日，日本佳能公司在栃木縣宇都宮市為其新建的半導(dǎo)體光刻設(shè)備工廠舉行盛大開(kāi)業(yè)儀式，標(biāo)志著這家光學(xué)巨頭時(shí)隔21年再次加碼光刻機(jī)制造領(lǐng)域。新工廠總投資額約500億日元（約合人民幣24.37億元），總建筑面積達(dá)67,518平方米，預(yù)計(jì)將于今年9月啟動(dòng)初期生產(chǎn)，并在明后年逐步完善鏡頭加工等核心制造能力。 此次新建的宇都宮工廠并未聚焦ASML壟斷的EUV（極紫外）或ArF（浸沒(méi)式深紫外）等尖端光刻技術(shù)，而是瞄準(zhǔn)了i線（365nm）、KrF（248nm）等成熟光源平臺(tái)的光刻設(shè)備，以及納米壓�。∟IL）圖案化系統(tǒng)。這一戰(zhàn)略選擇與當(dāng)前全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需求變化密切相關(guān)——隨著人工智能（AI）技術(shù)爆發(fā)推動(dòng)高性能芯片需求激增，傳統(tǒng)制程芯片在汽車(chē)控制、電源管理、功率器件等領(lǐng)域的應(yīng)用持續(xù)擴(kuò)大，同時(shí)先進(jìn)封裝技術(shù)成為突破摩爾定律瓶頸的關(guān)鍵路徑。佳能董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官御手洗富士夫在開(kāi)幕式上強(qiáng)調(diào)：“新工廠凝聚了佳能在光學(xué)、精密控制與材料工程領(lǐng)域的技術(shù)積淀，將成為支撐全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的重要基石�！� 市場(chǎng)分析指出，佳能此次布局精準(zhǔn)卡位了成熟制程與封裝設(shè)備的藍(lán)海市場(chǎng)。目前，荷蘭ASML憑借EUV技術(shù)占據(jù)全球90%以上的光刻機(jī)市場(chǎng)份額，但在I-line、KrF等成熟節(jié)點(diǎn)及后道封裝光刻機(jī)領(lǐng)域，佳能仍保有顯著優(yōu)勢(shì)。數(shù)據(jù)顯示，此類(lèi)設(shè)備約占佳能半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總銷(xiāo)售額的30%，其主要客戶(hù)包括臺(tái)積電等頭部晶圓代工廠商，用于中介層與多芯片模塊的精密加工。隨著AI芯片設(shè)計(jì)趨向多芯片集成，中介層布線需求大幅攀升，而佳能此前推出的前端光刻設(shè)備已成功適配此類(lèi)后端工藝，形成差異化競(jìng)爭(zhēng)力。 值得關(guān)注的是，宇都宮工廠還將承擔(dān)佳能納米壓印光刻（NIL）技術(shù)的量產(chǎn)任務(wù)。這項(xiàng)被視為EUV潛在替代方案的技術(shù)通過(guò)“蓋章式”納米圖案轉(zhuǎn)移實(shí)現(xiàn)芯片電路印制，無(wú)需復(fù)雜透鏡系統(tǒng)，能耗僅為EUV的10%，設(shè)備投資成本降低約40%。自2017年起，佳能便聯(lián)合鎧俠、大日本印刷等企業(yè)推進(jìn)NIL技術(shù)研發(fā)，目前已實(shí)現(xiàn)15納米級(jí)量產(chǎn)能力，并計(jì)劃于2025年向美國(guó)半導(dǎo)體聯(lián)盟交付最新一代FPA-1200NZ2C系統(tǒng)，目標(biāo)直指5納米以下制程突破。 佳能此前在2024年財(cái)報(bào)中透露，其2025年半導(dǎo)體光刻設(shè)備銷(xiāo)量目標(biāo)為225臺(tái)，較上年增長(zhǎng)9%，而宇都宮工廠的投產(chǎn)被視為達(dá)成這一目標(biāo)的核心驅(qū)動(dòng)力。行業(yè)預(yù)測(cè)顯示，新工廠全面達(dá)產(chǎn)后，佳能光刻設(shè)備總產(chǎn)能將較2021年水平翻倍，進(jìn)一步鞏固其在非先進(jìn)制程領(lǐng)域的市場(chǎng)地位。在ASML壟斷高端市場(chǎng)的格局下，佳能通過(guò)聚焦成熟技術(shù)、封裝創(chuàng)新與下一代工藝探索，正悄然重塑全球半導(dǎo)體制造設(shè)備的競(jìng)爭(zhēng)版圖。 |