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9月3日，SK海力士正式宣布將全球首款量產(chǎn)型高數(shù)值孔徑極紫外光刻機（High NA EUV）TWINSCAN EXE:5200B引入韓國利川M16工廠，并舉行盛大的設(shè)備入廠儀式。 技術(shù)突破：分辨率提升至8nm，集成度躍升2.9倍 此次引進的ASML EXE:5200B設(shè)備采用全球領(lǐng)先的0.55數(shù)值孔徑（NA）光學(xué)系統(tǒng)，較現(xiàn)有EUV設(shè)備（NA 0.33）性能提升40%。其核心優(yōu)勢在于可實現(xiàn)8nm級分辨率，電路圖案繪制精密度達前代1.7倍，單芯片集成度提升2.9倍。據(jù)技術(shù)專家解析，NA值的提升使透鏡匯聚光線能力顯著增強，相當(dāng)于將顯微鏡的放大倍數(shù)與清晰度同步升級，從而在晶圓上刻畫出更細(xì)密的電路結(jié)構(gòu)。 戰(zhàn)略意義：鞏固AI存儲器技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位 SK海力士未來技術(shù)研究院院長車宣龍在儀式上強調(diào)："該設(shè)備將簡化現(xiàn)有EUV工藝流程，加速下一代存儲器研發(fā)進程。"作為全球HBM（高帶寬內(nèi)存）市場的領(lǐng)導(dǎo)者，SK海力士近期剛完成HBM3E的量產(chǎn)交付，其1.18TB/s的數(shù)據(jù)處理速度已創(chuàng)行業(yè)紀(jì)錄。而High NA EUV的引入，將助力公司開發(fā)更先進的1γ（1-gamma）制程DRAM及千層級3D NAND閃存，滿足AI訓(xùn)練對存儲器容量與能效的嚴(yán)苛需求。 產(chǎn)業(yè)影響：重塑全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈格局 ASML韓國公司總經(jīng)理金丙燦透露，High NA EUV設(shè)備年產(chǎn)能僅5-6臺，單臺成本超26億元人民幣。此前英特爾曾包攬2025年上半年全部產(chǎn)能，SK海力士此次突破性引進，彰顯其技術(shù)投入的決心與供應(yīng)鏈協(xié)同能力。行業(yè)分析師指出，此舉將幫助SK海力士在2026年后量產(chǎn)的1γ DRAM上實現(xiàn)30%的能效提升，同時降低單位存儲成本，強化其在數(shù)據(jù)中心、自動駕駛等高增長市場的競爭力。 生態(tài)協(xié)同：MR-MUF封裝技術(shù)再升級 配合先進光刻設(shè)備，SK海力士同步優(yōu)化了芯片封裝工藝。其獨有的Advanced MR-MUF技術(shù)通過改進液態(tài)保護材料注入方式，使HBM3E的散熱效率較前代提升10%。這種"精密制造+高效封裝"的組合拳，使得單顆HBM3E芯片可支持每秒230部全高清電影的數(shù)據(jù)傳輸，為生成式AI大模型訓(xùn)練提供硬件支撐。 未來展望：瞄準(zhǔn)2030技術(shù)愿景 SK海力士制造技術(shù)擔(dān)當(dāng)李秉起副社長透露，M16工廠將基于High NA EUV設(shè)備構(gòu)建"無人化智能產(chǎn)線"，通過數(shù)字孿生技術(shù)實現(xiàn)制程參數(shù)的實時優(yōu)化。公司計劃到2030年將EUV技術(shù)覆蓋90%以上的先進存儲產(chǎn)品，并在3D NAND領(lǐng)域挑戰(zhàn)500層堆疊技術(shù)。隨著今日設(shè)備的正式入場，全球存儲產(chǎn)業(yè)正式進入"亞納米級"競爭新階段。 |
