iDEAL半導體宣布，其200 V SuperQ MOSFET系列中的首款產品已進入量產階段，另外四款200 V器件現(xiàn)已提供樣品。
SuperQ是硅MOSFET技術在超過25年來的首次重大進步，突破了長期存在的開關和導通限制。它在性能和效率方面實現(xiàn)了階躍式提升，同時保留了硅的核心優(yōu)勢：堅固性、高產量制造能力，以及在175 °C下的可靠表現(xiàn)。 首款進入量產的200 V器件是iS20M028S1P，這是一款25 mΩ的MOSFET，采用TO-220封裝。iDEAL的最低電阻200 V器件現(xiàn)已在TOLL和D2PAK-7L封裝中提供樣品，其最大RDS(on)僅為5.5 mΩ。這樹立了新的性能基準，其電阻比當前市場領先者低1.2倍，比次佳競爭對手低1.7倍。 “通過將SuperQ擴展到200 V，iDEAL證明了硅創(chuàng)新遠未結束，”iDEAL半導體首席執(zhí)行官兼創(chuàng)始人Mark Granahan表示。“這些結果表明，我們可以在保持硅的可制造性、可靠性和成本優(yōu)勢的同時，提供最低電阻和卓越的開關性能。這是我們公司以及希望推動效率進步的客戶的一個重大里程碑�！� 200 V SuperQ系列的目標應用包括電機驅動、LED照明、電池保護、AI服務器、隔離DC/DC電源模塊、USB-PD適配器和太陽能。隨著器件進入生產階段并提供行業(yè)領先的樣品，iDEAL正在加速與高增長功率市場客戶的合作。 有關詳細規(guī)格和可用部件編號的完整列表，包括5.5 mΩ樣品器件，請訪問www.idealsemi.com。 |
