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集成電路特征尺寸已接近22納米。過了這一節(jié)點(diǎn)之后，集成電路工藝就需要做出重大變革。對(duì)這一問題，業(yè)界很有影響的 EETIMES 雜志最近發(fā)表系列文章進(jìn)行深入分析： Lithography's generation gap http://www.eetimes.com/news/semi/showArticle.jhtml?articleID=224000217 Lithography 是集成電路自開始以來一直使用的主流工藝。該文說,現(xiàn)有的 Lithography 技術(shù)已經(jīng)接近盡頭.如果找不到好的替代技術(shù)，那么Moore定律就會(huì)走到盡頭，集成電路的發(fā)展就會(huì)大大減緩。 目前有四種潛在的替代技術(shù)(稱為NGL, Next Generation Lithography),它們分別是: EUV, Nanoimprint, multibeam和 self-assembly. 半導(dǎo)體行業(yè)面臨的困境是，不清楚那種技術(shù)真正有前途。 迄今為止， 人們在EUV技術(shù)上花費(fèi)的投資最多，研發(fā)時(shí)間最長。INTEL曾經(jīng)認(rèn)為，2005年該技術(shù)可以商業(yè)化。但是，INTEL現(xiàn)在把這個(gè)時(shí)間表推到2012年以后。EUV的研發(fā)機(jī)構(gòu)認(rèn)為他們還需要大量的投資。 有不少人認(rèn)為，EUV方向走錯(cuò)了，如果投資于其他技術(shù)更有前途。另一方面，其他幾項(xiàng)技術(shù)目前還處在研究狀態(tài)，離開商業(yè)化的距離比較遠(yuǎn)。 EETIMES說，半導(dǎo)體行業(yè)處在十字路口，人們不清楚應(yīng)該繼續(xù)向 EUV方向發(fā)展，還是另選其他技術(shù)。 相關(guān)文獻(xiàn)和討論： EUV camp drops ball on metrology http://eetimes.com/news/latest/showArticle.jhtml?articleID=224000218 Point/Counterpoint: What's the right path for litho? http://eetimes.com/news/latest/showArticle.jhtml?articleID=224000269 |
