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作為嵌入式閃存的替代方案，該NVM IP無(wú)需額外光罩和附加工藝步驟 新思科技公司（Synopsys）日前宣布：其全新DesignWare中等容量非易失性存儲(chǔ)器（NVM）IP產(chǎn)品開始供貨。Medium Density NVM IP填補(bǔ)了小容量NVM和大容量閃存之間的空白，且無(wú)需額外的光罩或工藝步驟，從而使芯片成本降低多達(dá)25%。在把微控制器集成到面向智能傳感器、電源管理和觸摸屏控制器應(yīng)用的模擬IC設(shè)計(jì)中時(shí)，中等容量NVM IP提供最高64 Kbyte的嵌入式存儲(chǔ)，消除了對(duì)外部EEPROM或閃存的需求。 “今天，那些試圖把微控制器嵌入到其IC中的開發(fā)者們被迫支付昂貴的晶圓費(fèi)用以支持嵌入式閃存，或者使用分立的外部存儲(chǔ)器，而這兩種方式都是代價(jià)高昂的方案，”Semico Research Corp.高級(jí)市場(chǎng)分析師Richard Wawrzyniak說(shuō)道�！癝ynopsys的DesignWare中等容量NVM IP填補(bǔ)了小容量非易失性存儲(chǔ)器和大容量嵌入式閃存之間的空白，對(duì)于那些尋求在不增加額外成本而增加數(shù)千byte非易失性存儲(chǔ)器的開發(fā)者而言，Synopsys的DesignWare中等容量 NVM IP是一個(gè)理想的選擇。” DesignWare中等容量NVM IP產(chǎn)品為5V CMOS和BCD工藝技術(shù)帶來(lái)了閃存功能。誤碼校正（ECC）功能提供了額外的系統(tǒng)可靠性，同時(shí)減少了集成工作量。與小容量NVM方案相比，這款NVM IP密度提升5 倍；同時(shí)還提供了40納秒的讀取時(shí)間，可提供快速的讀取時(shí)間和實(shí)時(shí)計(jì)算。通過(guò)在Synopsys實(shí)驗(yàn)室內(nèi)完成的驗(yàn)證，包括嚴(yán)格的性能測(cè)試、認(rèn)證和可靠性測(cè)試，該NVM IP可支持-40℃~125℃的溫度范圍，數(shù)據(jù)可保存10年。 “隨著把微控制器集成到模擬IC之中而需要數(shù)量越來(lái)越多的存儲(chǔ)器，設(shè)計(jì)業(yè)者需要成本更低的存儲(chǔ)器解決方案，同時(shí)不犧牲功能，”Synopsys IP和系統(tǒng)原型市場(chǎng)副總裁John Koeter說(shuō)道�！癝ynopsys的DesignWare中等容量NVM IP為設(shè)計(jì)業(yè)者提供比閃存成本更低的方案，同時(shí)提供了所有必需的功能，來(lái)幫助他們以更小風(fēng)險(xiǎn)把NVM集成到系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）之中�！� 供貨 使用臺(tái)積電（TSMC）180納米5V CMOS和BCD工藝技術(shù)的DesignWare中等容量NVM IP現(xiàn)已對(duì)早期采用者供貨。 |
