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隨著液晶電視機等需要節(jié)能化的裝置市場逐步擴大，對應(yīng)用于這些裝置的電源外圍的晶體管等半導(dǎo)體器件也提出了高效率化和削減元器件數(shù)量的要求�，F(xiàn)在，作為高效率產(chǎn)品的500 to 600V級高耐壓MOSFET，采用傳統(tǒng)平面結(jié)構(gòu)的已經(jīng)不多，而開關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻低的超結(jié)結(jié)構(gòu)成了主流。但是，超結(jié)結(jié)構(gòu)在結(jié)構(gòu)上存在一個需要破解的課題，那就是內(nèi)部二極管的反向恢復(fù)時間 (以下稱為: trr) 長。因此，在應(yīng)用于有再生電流流過MOSFET的內(nèi)部二極管的橋接電路等情況時，為了提高高頻隨動性而需要在漏-源極間并聯(lián)接入快速恢復(fù)二極管(以下稱為: FRD)。 新開發(fā)的F系列為使trr達(dá)到高速化，成功地在超結(jié)MOSFET的元件內(nèi)部形成局部的陷阱能級，從而使得trr從160ns縮短為70ns，也就是比 普通的超結(jié)結(jié)構(gòu)產(chǎn)品縮短約60%。無需接入FRD就可以應(yīng)用于橋接電路，這對削減元器件數(shù)量、減小基片面積和達(dá)到高頻化，使得變壓器等小型化，從而實現(xiàn) 裝置小型化、低成本化有很大的貢獻(xiàn)。 高耐壓功率MOSFET F系列預(yù)定從2009年2月開始供應(yīng)樣品，并于2009年4月開始以月產(chǎn)100萬個的規(guī)模批量生產(chǎn)。按計劃，生產(chǎn)過程的前一段 工序安排在ROHM/阿波羅器件株式會社(福岡縣)、 ROHM筑波株式會社(茨城縣) 進(jìn)行；后一段工序則將在ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND) CO., LTD. (泰國) 完成。 |
