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美國科研人員實(shí)現(xiàn) 1nm 制程工藝

發(fā)布時間:2017-5-5 09:44    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 1nm , 半導(dǎo)體工藝 , 制程
EETimes的報(bào)道稱,美國能源部(DOE)下屬的布魯克海文國家實(shí)驗(yàn)室的科研人員日前宣布創(chuàng)造了新的世界記錄,他們成功制造了尺寸只有 1nm 的印刷設(shè)備,使用還是電子束印刷工藝而非傳統(tǒng)的光刻印刷技術(shù)。

這個實(shí)驗(yàn)室的科研人員創(chuàng)造性地使用了電子顯微鏡造出了比普通EBL(電子束印刷)工藝所能做出的更小的尺寸,電子敏感性材料在聚焦電子束的作用下尺寸大大縮小,達(dá)到了可以操縱單個原子的地步。他們造出的這個工具可以極大地改變材料的性能,從導(dǎo)電變成光傳輸以及在這兩種狀態(tài)下交互。

他們的這項(xiàng)成就是在能源部下屬的功能納米材料中心完成的,1nm印刷使用的是STEM(掃描投射電子顯微鏡),被隔開11nm,這樣一來每平方毫米就能實(shí)現(xiàn)1萬億個特征點(diǎn)(features)的密度。通過偏差修正STEM在5nm半柵極在氫氧硅酸鹽類抗蝕劑下實(shí)現(xiàn)了2nm分辨率。

事實(shí)上這也不是科學(xué)家第一次實(shí)現(xiàn)1nm級別的工藝,去年美國能源部下屬的另一個國家實(shí)驗(yàn)室——勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室也宣布過1nm工藝,他們使用的是納米碳管和二硫化鉬等新材料。同樣地,這項(xiàng)技術(shù)也不會很快投入量產(chǎn),因?yàn)樘技{米管晶體管跟這里的PMMA、電子束光刻一樣跟目前的半導(dǎo)體工藝有明顯區(qū)別,要讓廠商們一下子全部淘汰現(xiàn)有設(shè)備,這簡直是不可能的。

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