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★本科生微電子器件及材料實(shí)驗(yàn)測(cè)試平臺(tái)基本功能 | | 金屬-氧化物- 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性的IV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) | · 輸出特性曲線 · 轉(zhuǎn)移特性曲線 · 跨導(dǎo)gm | 四探針?lè)y(cè)量半導(dǎo)體 電阻率測(cè)試實(shí)驗(yàn) | · 四探針?lè)娮杪师?/div> · 材料阻值R | MOS 電容的準(zhǔn)靜態(tài)CV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) | | | · 霍爾電壓VH · 霍爾電阻率ρ · 霍爾系數(shù)RH · 載流子濃度n · 霍爾遷移率u | | · LIV特性曲線 · 閾值電流對(duì)應(yīng)電壓值Vth · 拐點(diǎn)Kink · 線性電阻Rs | | · 開(kāi)路電壓Voc · 短路電流Isc · 功率最大值Pmax · 填充因子FF · 轉(zhuǎn)換效率η · 串聯(lián)電阻Rs · 旁路電阻Rsh |
★本科生微電子器件及材料實(shí)驗(yàn)測(cè)試平臺(tái)核心
§ 測(cè)試平臺(tái)的核心 – 源測(cè)量單元 （源表， SMU） 四 表 合 一 多通道配置四象限模式 四線/開(kāi)爾文測(cè)試功能 小信號(hào)測(cè)試 file:///C:/Users/liuyang/AppData/Local/Temp/ksohtml/wps8513.tmp.png滿足先進(jìn)器件和材料測(cè)試需求 標(biāo)準(zhǔn)器件測(cè)試庫(kù)
★本科生微電子器件及材料實(shí)驗(yàn)測(cè)試基礎(chǔ)平臺(tái)和升級(jí)選件
★本科生微電子器件及材料實(shí)驗(yàn)測(cè)試選型指南 | 2600雙通道源表 專業(yè)測(cè)試軟件 專業(yè)測(cè)試導(dǎo)線 夾具盒 | 積分球 暗電流測(cè)試表 開(kāi)關(guān) | | | 實(shí)驗(yàn)一：晶圓級(jí)分立器件IV特性分析 | | | | | | | | | 實(shí)驗(yàn)二：四探針發(fā)測(cè)量半導(dǎo)體電阻率測(cè)試 | | | 實(shí)驗(yàn)三：MOS電容的準(zhǔn)靜態(tài)CV特性測(cè)試 | | | | | | | | | 實(shí)驗(yàn)四：半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測(cè)試 | | | 實(shí)驗(yàn)五：光電器件LIV特性測(cè)試 | | | | | | | | | 實(shí)驗(yàn)六：太陽(yáng)能電池的特性表征 | | |
基礎(chǔ)平臺(tái)： 2600雙通道源表 + 專業(yè)測(cè)試軟件+ 專業(yè)測(cè)試導(dǎo)線+ 夾具盒 +手動(dòng)探針臺(tái) 升級(jí)選件： 積分球，暗電流測(cè)試表，開(kāi)關(guān)，磁場(chǎng)
★本科生微電子器件及材料實(shí)驗(yàn)測(cè)試平臺(tái)優(yōu)勢(shì)
滿足本科生基礎(chǔ)教學(xué)實(shí)驗(yàn)中微電子器件和材料測(cè)試需求 測(cè)試設(shè)備和軟件簡(jiǎn)單易用，專業(yè)權(quán)威，方便學(xué)生動(dòng)手操作 核心設(shè)備測(cè)試精度高，滿足新材料和新器件的指標(biāo)要求 以基礎(chǔ)平臺(tái)為起點(diǎn)，可逐步升級(jí)，滿足日益增加的實(shí)驗(yàn)室測(cè)試需求
附錄一：金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性IV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)
q §實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/div> §掌握MOSFET的輸出特性測(cè)試及分析方法 §學(xué)習(xí)利用MOSFET的電學(xué)特性曲線求解各種參數(shù) q q實(shí)驗(yàn)原理 §金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)是 集成電路中特別重要的元器件。通過(guò)對(duì)MOSFET的直流輸入特性、輸出特性等電學(xué)特性測(cè)試，可以推算出器件的閾值電壓、導(dǎo)通電阻、擊穿電壓、跨導(dǎo)等重要參數(shù)。 q q 實(shí)驗(yàn)設(shè)備和測(cè)試結(jié)果
附錄二：MSO電容的準(zhǔn)靜態(tài)CV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) q 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/font> § 掌握準(zhǔn)靜態(tài)法測(cè)量界面態(tài)密度分布的原理 § 熟練掌握準(zhǔn)靜態(tài)C-V測(cè)量系統(tǒng)的使用方法 q 實(shí)驗(yàn)原理 § 通過(guò)測(cè)試MOS電容的高頻和低頻C-V特性曲線可以得到柵氧化層厚度、界面 態(tài)密度、平帶電容、平帶電壓等參數(shù)。 q 實(shí)驗(yàn)設(shè)備和測(cè)試結(jié)果
附錄三：半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測(cè)試實(shí)驗(yàn)
q 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/font> § 理解和掌握霍爾效應(yīng)的原理 § 掌握霍爾效應(yīng)的測(cè)量方法 § 掌握霍爾效應(yīng)的分析方法 q 實(shí)驗(yàn)原理 § 霍爾系數(shù)的符號(hào)來(lái)判斷半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電類型，是N型還是P型；根據(jù)霍爾系數(shù)及其與溫度的關(guān)系可以計(jì)算載流子的濃度，以及載流子濃度同溫度的關(guān)系，由此可以確定材料的禁帶寬度和雜質(zhì)電離能；通過(guò)霍爾系數(shù)和電阻率的聯(lián)合測(cè)量能夠確定載流子的遷移率，用微分霍爾效應(yīng)法可測(cè)縱向載流子濃度分布；測(cè)量低溫霍爾效應(yīng)可以確定雜質(zhì)補(bǔ)償度。 q 實(shí)驗(yàn)設(shè)備和測(cè)試結(jié)果
附錄四：激光二極管LD的LIV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)
q 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/font> • 掌握激光二極管LD的基本原理 • 掌握激光二極管LD的測(cè)量方法 • 學(xué)習(xí)利用激光二極管LD的LIV特性曲線求解各種參數(shù) q 實(shí)驗(yàn)原理 § 半導(dǎo)體激光二極管（LD）或簡(jiǎn)稱半導(dǎo)體激光器，它通過(guò)受激輻射發(fā)光，是一種閾值器件，適合于作高速長(zhǎng)距離光纖通信系統(tǒng)的光源。一般用注入電流值來(lái)標(biāo)定閾值條件，也即閾值電流 。LIV特性是選擇半導(dǎo)體激光器的重要依據(jù)。 q 實(shí)驗(yàn)設(shè)備和測(cè)試結(jié)果
附錄五:太陽(yáng)能電池的特性表征
q 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/font> § 掌握太陽(yáng)能電池的基本原理 § 掌握太陽(yáng)能電池的特性測(cè)試及分析方法 § 學(xué)習(xí)利用太陽(yáng)能電池的電學(xué)特性曲線求解各種參數(shù) q 實(shí)驗(yàn)原理 § 光能就以產(chǎn)生電子-空穴對(duì)的形式轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔�。如果半�?dǎo)體內(nèi)存在P-N結(jié)，則 在P型和N型交界面兩邊形成勢(shì)壘電場(chǎng)，能將電子驅(qū)向N區(qū)，空穴驅(qū)向P區(qū)， 在P-N結(jié)附近形成與勢(shì)壘電場(chǎng)相反的光生電場(chǎng)。若分別在P型層和N型層焊上 金屬引線，接通負(fù)載，則外電路便有電流通過(guò)。如此形成的一個(gè)個(gè)電池原件， 把它們串聯(lián)、并聯(lián)起來(lái)，就能產(chǎn)生一定的電壓和電流，輸出功率。 q 實(shí)驗(yàn)設(shè)備和測(cè)試結(jié)果
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發(fā)表于 2019-6-20 17:12:24
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