|
英特爾本周二在2011年度投資者會議上，公布了稱之為第三次重大轉(zhuǎn)變的芯片開發(fā)策略，積極地減少針對智能手機和平板電腦的芯片耗電量，優(yōu)化筆記本電腦的未來設(shè)計，進(jìn)軍智能手機和平板電腦市場，簡化未來的筆記本設(shè)計。英特爾對分析師說，將在幾年之內(nèi)將主流微處理器的耗電量減少到大約15瓦，希望延長便攜式設(shè)備的電池使用壽命以及節(jié)省采用英特爾芯片的服務(wù)器的耗電量。 這一重大轉(zhuǎn)變預(yù)計需要修改英特爾的芯片設(shè)計方法和利用芯片生產(chǎn)技術(shù)的進(jìn)步。英特爾首席執(zhí)行官Paul Otellini把這次的轉(zhuǎn)變比作開發(fā)英特爾90年代初熱門的奔騰處理器和2005年左右用于筆記本電腦的迅馳技術(shù)所需要的那些變化。 為了克服功耗問題，英特爾預(yù)計3年后將轉(zhuǎn)向14納米工藝，這意味著14納米Atom處理器可能在2014年上市。 
Atom路線圖 Otellini 表示，新的Atom設(shè)計的加速將以超越摩爾定律的速度推進(jìn)。同時，英特爾現(xiàn)在計劃讓自己的新款A(yù)tom處理器能夠支持谷歌的Android操作系統(tǒng)。英特爾方面表示希望見到自己的Atom Z670處理器支持Android 3.0甚至Android 3.1版本的操作系統(tǒng)，另外谷歌的Chrome操作系統(tǒng)英特爾也希望可以提供支持。 英特爾這款正在研發(fā)新的Atom芯片架構(gòu)，將會采用3D晶體管技術(shù)。新Atom的架構(gòu)代號為Silvermont，預(yù)計將于2013年發(fā)布。通過結(jié)合3D晶體管技術(shù)，Silvermont架構(gòu)處理器可實現(xiàn)性能和功能的進(jìn)一步融合，功耗降低方面將會實現(xiàn)重大進(jìn)步。另外，Silvermont架構(gòu)處理器將會是是SoC芯片設(shè)計，所有的功能芯片都將完全封裝在一個核心單元上，這樣的話就能夠提供最大的集成性能同時大幅度的降低設(shè)備的整體功耗。 英特爾所做的所有努力都在于降低對PC業(yè)務(wù)的依賴，希望借助平板電腦和智能手機市場獲得更多直接利潤，該公司在這一市場的表現(xiàn)一直都落后于競爭對手。
分析師觀點：英特爾應(yīng)用3D晶體管技術(shù)冒著高風(fēng)險 英特爾公司將在下一代處理器芯片中首次使用22nm三柵極垂直3D FinFET結(jié)構(gòu)，這一舉措可能將使該公司一舉超越ARM，同時該技術(shù)在嵌入式系統(tǒng)和移動應(yīng)用程序方面的授權(quán)可能將阻斷ARM進(jìn)入PC和服務(wù)器市場的步伐。 盡管英特爾希望這一新的FinFET結(jié)構(gòu)能使它以一個大比分領(lǐng)先其競爭對手——也許多達(dá)三年，然而這個新的晶體管結(jié)構(gòu)目前為止仍未經(jīng)驗證，對英特爾來說推進(jìn)這一技術(shù)絕對是一次高風(fēng)險的賭博。一方面，ARM及其合作伙伴也許并沒有落后很多，因為ARM有幾個測試芯片正在驗證FinFET，同時英特爾競爭對手的半導(dǎo)體代工廠已經(jīng)在安裝必要的工藝設(shè)備。另一方面，臺積電也計劃在不久的將來推出14nm節(jié)點層面的初步FinFET工藝。 從紐約時報，電視頻道，到甚至一些電子產(chǎn)業(yè)媒體的漫天報道，足以證明英特爾將業(yè)界打了個措手不及。該公司的成功在于其對該“革 命性”的3D結(jié)構(gòu)的自信。但是沒有那么快，需要很多公司來檢驗至少十年的事物，是很難成為“革 命性”的。 雖然英特爾率先打破局面將FinFET結(jié)構(gòu)用于22nm集成電路，但在FinFET CMOS領(lǐng)域英特爾并不是獨一無二的。至少有五六家公司一直積極參與FinFET技術(shù)的發(fā)展。 據(jù)美國專利局透露，自2000年以來，關(guān)于垂直三柵極FinFET晶體管結(jié)構(gòu)的專利申請或發(fā)表接近500項。其中，轉(zhuǎn)讓方為英特爾公司的僅有40項左右。類似的期刊和會議技術(shù)文件有450項左右，原作者為英特爾公司的比例也大約相同。據(jù)粗略統(tǒng)計FinFET技術(shù)轉(zhuǎn)讓方除了英特爾外，還包括10到15家公司屬于ARM架構(gòu)或其他處理器架構(gòu)授權(quán)許可方，例如MIPS和PowerCPU。 另一方面，一個支持英特爾的賭博能夠成功的理由是，英特爾本身擁有無可匹敵的納米級半導(dǎo)體工藝能力，現(xiàn)在已經(jīng)充分準(zhǔn)備好在幾個月內(nèi)使用FinFET結(jié)構(gòu)來構(gòu)建處理器或SOC芯片。而ARM的業(yè)務(wù)是架構(gòu)授權(quán)，不具備任何的制造能力，其很多合作伙伴也是如此。 那些不具備制造能力的公司通過幾個獨立的晶圓廠之一來生產(chǎn)其器件，IBM微電子和臺積電就是這樣的公司中的一員。他們已經(jīng)著述了FinFET的技術(shù)論文并已提交專利申請，第三家公司——Global Foundries則沒有發(fā)現(xiàn)有何重大的進(jìn)展。但這家公司與歐洲研究機構(gòu)IMEC結(jié)成了戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，擴展亞22nm CMOS尺度。IMEC在過去十年中有顯著的FinFET專利和技術(shù)論文成果。 另一個似乎對英特爾有利的因素是該公司巨額的銷售收入——估計每年400億美元——可以保證FinFET業(yè)務(wù)的開支。相比之下ARM公司估計每年來自處理器架構(gòu)授權(quán)的營收為不到5億美元。但是ARM 也沒必要獨自承擔(dān)此費用，該公司有許多年營收規(guī)模足以匹敵英特爾的授權(quán)客戶。 擁有大量授權(quán)客戶，每一家都有自己對抗英特爾的戰(zhàn)略部署這一事實，也被引用來證明英特爾終將勝利：“廚師多燒壞湯（寓意人多反誤事）”。當(dāng)初Linux開始威脅到微軟統(tǒng)治地位時，微軟也曾拋出這個陳腔濫調(diào)。但是，數(shù)千名開發(fā)者參與開發(fā)的Linux，表現(xiàn)并沒有微軟諷刺的那么糟，如今開源的Android也一樣。 同樣，在 ARM授權(quán)保護(hù)傘下有眾多的“廚師”，ARM架構(gòu)確實做得比英特爾的處理器要好，特別是低功耗和高性能的平衡方面，而英特爾Atom X86在這一點上就沒做到。事實上，ARM授權(quán)客戶在不犧牲性能的同時又降低了功耗方面的成功，正是促使英特爾不得不部署其尖端FinFET策略的原因之一。 使我對ARM架構(gòu)與英特爾大規(guī)模的FinFET器件對抗持特別樂觀態(tài)度的原因，是我所說的“第一即是第二（first to be second）”原則。第一個在市場上推出產(chǎn)品或技術(shù)，可能是一個世界上最好的成果，成為第二則幾乎和第一一樣好。因為這“第二”可以借鑒“第一”的錯誤并避免它們。接下來的這一有趣的競爭在于ARM授權(quán)客戶之間，并在22nm節(jié)點上印證““第一即是第二”。 綜上所述，我不認(rèn)為英特爾有可能做得更好，在驅(qū)動下一代移動及嵌入式計算設(shè)備的處理器領(lǐng)域仍將處于亞軍的位置。到目前在與英特爾的競爭中一直很成功的ARM授權(quán)客戶將使英特爾更深入地研究，并領(lǐng)悟它在22nm及以下節(jié)點將做出怎樣的努力。英特爾如果無法在能耗方面有所突破的話，在移動市場將很難撼動ARM的地位。 |
