來源:快科技 最近幾年,臺(tái)積電及三星在半導(dǎo)體工藝上超越了Intel,后者在14nm節(jié)點(diǎn)之前都是全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體公司,然而在10nm節(jié)點(diǎn)面臨各種困難,給了對(duì)手可乘之機(jī)。 Intel在這個(gè)過程中是如何被超越的?CEO基辛格日前接受了采訪,特別提到了Intel在EUV光刻工藝上的選擇錯(cuò)誤。 在EUV技術(shù)研發(fā)上,Intel是全球重要推手,ASML研發(fā)EUV光刻機(jī)也得到了Intel的不少幫助,但是Intel在10nm節(jié)點(diǎn)沒有選擇EUV光刻,而是嘗試了新的SAQP四重曝光技術(shù),它們的目標(biāo)是不依賴EUV光刻機(jī)也能生產(chǎn)先進(jìn)工藝。 基辛格表示,當(dāng)初這個(gè)目標(biāo)是很好的,然而SAQP曝光工藝非常復(fù)雜,成本高,隨著時(shí)間的推移,Intel站在了EUV錯(cuò)誤的一邊,基辛格表示當(dāng)時(shí)應(yīng)該至少有一個(gè)并行的EUV戰(zhàn)略才對(duì)。 基辛格所說的這個(gè)事其實(shí)就是過去幾年中Intel在10nm工藝上多次跳票的關(guān)鍵,這兩年才算是搞定了10nm工藝的量產(chǎn),現(xiàn)在改名為Intel 7工藝。 至于EUV工藝,Intel現(xiàn)在也重視起來了,跟ASML的合作很好,今年底量產(chǎn)的Intel 4工藝就是Intel首個(gè)EUV工藝,用于首發(fā)量產(chǎn)14代酷睿Meteor Lake,明年上市。 |