Rambus Inc.推出全新6400 MT/s DDR5寄存時鐘驅(qū)動器（RCD），并向各大DDR5內(nèi)存模塊（RDIMM）制造商提供樣品。相比第一代 4800 MT/s解決方案，Rambus 第三代6400 MT/s DDR5 RCD的數(shù)據(jù)傳輸速率和帶寬提高了33%，使數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的主內(nèi)存性能達到了一個新的水平。該產(chǎn)品的延遲和功耗均達到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平，其經(jīng)過優(yōu)化的時序參數(shù)將提高RDIMM的裕量。
Rambus Gen3 6400 MT/s DDR5 RCD
Rambus Gen3 6400 MT/s DDR5 RCD眼圖 Rambus首席運營官范賢志表示：“數(shù)據(jù)中心工作負載對內(nèi)存帶寬和容量的需求永遠在增加，我們的使命就是提高服務(wù)器內(nèi)存解決方案的性能，滿足每一代新服務(wù)器平臺的內(nèi)存需求。我們在業(yè)內(nèi)率先實現(xiàn)了5600 MT/s的性能，現(xiàn)在我們再度突破，將第三代DDR5 RCD的性能提升到6400 MT/s，為新一代RDIMM服務(wù)器主內(nèi)存保駕護航�！� IDC內(nèi)存半導(dǎo)體部門副總裁Soo-Kyoum Kim表示：“DDR5大幅提升了計算系統(tǒng)的性能。隨著數(shù)據(jù)中心應(yīng)用更加頻繁地要求越來越高的內(nèi)存帶寬，DDR5生態(tài)系統(tǒng)將成為提升下一代數(shù)據(jù)中心性能提升這一基本需求的關(guān)鍵�！� Rambus DDR5內(nèi)存接口芯片包含RCD、串行檢測（SPD）集線器和溫度傳感器，對于提升領(lǐng)先服務(wù)器的性能水平十分重要。憑借DDR5內(nèi)存，RDIMM更智能，同時將數(shù)據(jù)傳輸速度提升了一倍以上，容量達到DDR4 RDIMMs的四倍，內(nèi)存和電源效率也有所提高。憑借在高性能內(nèi)存領(lǐng)域積累30多年的經(jīng)驗，Rambus以其信號完整性（SI）/電源完整性（PI）方面的專業(yè)技術(shù)著稱。這種專長大大有利于DDR5內(nèi)存接口芯片確保從主機內(nèi)存控制器發(fā)送到RDIMM的命令/地址和時鐘信號具有出色的信號完整性。 更多信息： 如需了解更多Rambus DDR5 RCD有關(guān)信息，敬請訪問：https://www.rambus.com/ddr5。 |
