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來(lái)源：集微網(wǎng) 據(jù)電子時(shí)報(bào)報(bào)道，隨著日本對(duì)華半導(dǎo)體設(shè)備出口禁令于7月23日正式生效，業(yè)內(nèi)普遍想知道這將對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生的影響。此次出口管制共計(jì)23品類(lèi)半導(dǎo)體設(shè)備，涵蓋光刻、刻蝕、薄膜沉積、熱處理、清洗和檢驗(yàn)等。DIGITIMES Research分析師Eric Chen表示，對(duì)光刻和薄膜沉積設(shè)備的限制更有可能實(shí)施，從而影響中國(guó)先進(jìn)的半導(dǎo)體制造。 在光刻設(shè)備方面，荷蘭ASML和日本尼康、佳能公司是主要供應(yīng)商，占據(jù)全球95%以上的市場(chǎng)份額；在刻蝕設(shè)備方面，美國(guó)泛林集團(tuán)、應(yīng)用材料和日本東京電子（TEL）是主要參與者，全球市場(chǎng)份額合計(jì)超過(guò)90%；在薄膜沉積設(shè)備方面，主要廠商有美國(guó)KLA、應(yīng)用材料及日本日立、東京電子和Ulvac（真空技術(shù)株式會(huì)社），此外還有瑞士Evatec和荷蘭ASM。總的來(lái)說(shuō)，這些公司約占全球市場(chǎng)份額的80-90%。 分析師Eric Chen研究顯示，2022年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)口的60%以上仍來(lái)自美國(guó)、日本和荷蘭，其中日本仍是中國(guó)最大的半導(dǎo)體設(shè)備來(lái)源國(guó)，約占進(jìn)口額的30%。 分析師Eric Chen指出，日本近一半的出口管制與薄膜加工設(shè)備有關(guān)。然而，此類(lèi)設(shè)備涉及多種工藝。在此背景下，出口管制將主要針對(duì)諸如采用鈷和釕等材料進(jìn)行先進(jìn)工藝的金屬互連沉積設(shè)備、用于40nm以下工藝的原子層沉積（ALD）設(shè)備，以及多圖案化工藝所需的硬掩膜沉積設(shè)備。 對(duì)于光刻設(shè)備，Eric Chen認(rèn)為日本浸潤(rùn)式深紫外（DUV）光刻設(shè)備的出口可能會(huì)受到影響。盡管日本不生產(chǎn)極紫外（EUV）光刻設(shè)備，但分析指出，管制措施仍將針對(duì)EUV掩膜沉積設(shè)備、與EUV工藝涂層和開(kāi)發(fā)相關(guān)的設(shè)備，以及用于EUV設(shè)備的空白或預(yù)曝光掩膜的檢查設(shè)備。 值得注意的是，在刻蝕設(shè)備方面，Eric Chen指出，日本對(duì)硅鍺（SiGe）的濕法刻蝕和干法刻蝕設(shè)備都有限制。相比之下，對(duì)于硅等其他材料，管制措施僅涉及干法刻蝕設(shè)備。分析人士認(rèn)為，日本對(duì)硅鍺刻蝕設(shè)備出口管制更加嚴(yán)格，主要是由于硅鍺器件會(huì)廣泛應(yīng)用于航空航天、軍事等行業(yè)。 |
