SK海力士今日正式宣布，公司已成功實(shí)現(xiàn)其最新的12層堆疊HBM3E（高帶寬內(nèi)存）芯片的量產(chǎn)，此次量產(chǎn)的12層HBM3E芯片，不僅突破了現(xiàn)有存儲技術(shù)的限制，更實(shí)現(xiàn)了業(yè)界首個單顆36GB的內(nèi)存封裝，較之前的HBM產(chǎn)品容量大幅提升50%。這一成果得益于公司創(chuàng)新的技術(shù)解決方案，包括將DRAM芯片制造得比以往更薄40%，并采用先進(jìn)的硅通孔技術(shù)（TSV）進(jìn)行垂直堆疊。通過這一設(shè)計，SK海力士成功在保持產(chǎn)品厚度不變的同時，顯著提高了存儲容量和性能。
在性能方面，HBM3E芯片同樣表現(xiàn)出色。其數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)9.6Gbps，帶寬則達(dá)到了驚人的819GB/s，相比前一代產(chǎn)品有了質(zhì)的飛躍。這一性能提升將極大地加速數(shù)據(jù)處理速度，滿足深度學(xué)習(xí)、實(shí)時數(shù)據(jù)分析等復(fù)雜應(yīng)用場景的需求。同時，HBM3E還具備低延遲和高效能的特點(diǎn)，為圖形處理、機(jī)器學(xué)習(xí)和模擬仿真等應(yīng)用提供了堅實(shí)的硬件基礎(chǔ)。 市場反應(yīng)方面，SK海力士宣布量產(chǎn)12層HBM3E芯片的消息迅速引發(fā)了市場熱潮。公司股價在韓國市場一度上漲超過8%，市值突破120.34萬億韓元（約合6351.55億元人民幣）。這一表現(xiàn)不僅體現(xiàn)了市場對SK海力士技術(shù)實(shí)力的認(rèn)可，也預(yù)示著HBM3E芯片在未來智能設(shè)備市場中的廣闊前景。 SK海力士作為全球唯一一家開發(fā)并向市場供應(yīng)全系列HBM產(chǎn)品的企業(yè)，其在HBM存儲領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位進(jìn)一步得到鞏固。公司表示，12層HBM3E芯片在面向AI的存儲器所需的速度、容量、穩(wěn)定性等方面均已達(dá)到全球最高水平。這一產(chǎn)品的推出，不僅滿足了人工智能企業(yè)日益增長的需求，也為整個行業(yè)樹立了新的技術(shù)標(biāo)桿。 業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，SK海力士的HBM3E芯片量產(chǎn)將推動高帶寬存儲解決方案進(jìn)入新階段。特別是在人工智能和高性能計算領(lǐng)域，這一技術(shù)突破將為行業(yè)帶來重要的發(fā)展機(jī)遇。隨著5G和人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展，處理大數(shù)據(jù)的需求愈發(fā)明顯。HBM3E芯片憑借其高性能、低功耗的特點(diǎn)，將在智能設(shè)備市場占據(jù)重要位置，助力制造商實(shí)現(xiàn)更高效的產(chǎn)品設(shè)計和開發(fā)。 |
