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Rapidus宣布日本首臺(tái)大規(guī)模生產(chǎn)EUV光刻機(jī)交付并開(kāi)始安裝

發(fā)布時(shí)間:2024-12-20 11:51    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: Rapidus , 日本 , EUV光刻機(jī)
12月19日,日本先進(jìn)邏輯半導(dǎo)體制造商Rapidus宣布,其購(gòu)入的首臺(tái)ASML TWINSCAN NXE:3800E光刻機(jī)已在位于北海道千歲市的IIM - 1晶圓廠(chǎng)完成交付并啟動(dòng)安裝。這一事件標(biāo)志著日本首次引入用于大規(guī)模生產(chǎn)尖端半導(dǎo)體的EUV(極紫外)光刻系統(tǒng)。

在交付安裝當(dāng)天,眾多重要人物出席了在北海道新千歲機(jī)場(chǎng)舉行的紀(jì)念儀式,包括Rapidus首席執(zhí)行官、日本政府代表、北海道及千歲市地方政府代表、ASML高管以及荷蘭駐日本大使等。

Rapidus總裁兼首席執(zhí)行官表示:“我們非常高興能夠迎來(lái)這一里程碑式的時(shí)刻。通過(guò)引入ASML最先進(jìn)的EUV技術(shù),我們將為客戶(hù)提供更高性能、更小尺寸的半導(dǎo)體解決方案,同時(shí)也為日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入新的活力!

據(jù)悉,ASML TWINSCAN NXE:3800E是ASML EXE系列0.33 (Low) NA EUV光刻機(jī)的最新型號(hào)。該型號(hào)的光刻機(jī)能夠滿(mǎn)足Rapidus首代量產(chǎn)工藝2nm的制造需求。其特別之處在于與0.55 (High) NA EXE平臺(tái)共享部分組件,而且相較于之前的NXE:3600D光刻機(jī),其晶圓吞吐量提升了37.5%。

除了核心的EUV光刻機(jī)外,Rapidus還有進(jìn)一步的生產(chǎn)布局計(jì)劃。Rapidus將在IIM - 1晶圓廠(chǎng)安裝一系列配套先進(jìn)半導(dǎo)體制造設(shè)備以及全自動(dòng)材料處理系統(tǒng),旨在實(shí)現(xiàn)2nm制程GAA(全環(huán)繞柵極)結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體的生產(chǎn)。如果Rapidus試產(chǎn)2nm芯片順利,還計(jì)劃在接下來(lái)的第二間工廠(chǎng)內(nèi)采用1.4nm工藝,屆時(shí)預(yù)計(jì)將加大EUV光刻機(jī)的購(gòu)買(mǎi)量。

此次ASML TWINSCAN NXE:3800E光刻機(jī)在日本的交付安裝,有望提升日本在國(guó)際先進(jìn)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力,并且對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的布局和發(fā)展產(chǎn)生積極影響。
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