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美國當(dāng)?shù)貢r間2月19日，半導(dǎo)體設(shè)備巨頭泛林集團(tuán)（Lam Research）正式宣布推出全球首臺鉬（Mo）原子層沉積（ALD）設(shè)備——ALTUS Halo。這一創(chuàng)新設(shè)備已在邏輯半導(dǎo)體和3D NAND領(lǐng)域獲得早期采用，標(biāo)志著半導(dǎo)體制造技術(shù)的又一重大突破。 ALTUS Halo是泛林集團(tuán)基于其在原子層沉積領(lǐng)域深厚的專業(yè)知識和技術(shù)積累，專為滿足先進(jìn)半導(dǎo)體器件制造需求而設(shè)計(jì)的一款革命性設(shè)備。該設(shè)備利用鉬的獨(dú)特性質(zhì)，為半導(dǎo)體器件提供了卓越的特征填充和低電阻率、無空隙的金屬化沉積，從而大幅提升了芯片的性能和可靠性。 據(jù)泛林集團(tuán)介紹，ALTUS Halo代表了半導(dǎo)體金屬化新時代的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。隨著下一代應(yīng)用的性能要求不斷提高，對更先進(jìn)半導(dǎo)體和新制造工藝的需求也在增加。ALTUS Halo的推出，為未來人工智能、云計(jì)算和下一代智能設(shè)備的高級存儲器和邏輯芯片的擴(kuò)展鋪平了道路。 在邏輯半導(dǎo)體領(lǐng)域，ALTUS Halo的高精度沉積技術(shù)使得芯片制造商能夠?qū)崿F(xiàn)更復(fù)雜的電路設(shè)計(jì)和更高的集成度，從而提升了芯片的處理速度和能效。而在3D NAND領(lǐng)域，ALTUS Halo的卓越填充能力和低電阻率特性則使得存儲芯片的容量和性能得到了顯著提升。 泛林集團(tuán)高級副總裁兼全球產(chǎn)品集團(tuán)總經(jīng)理Sesha Varadarajan表示：“基于泛林集團(tuán)深厚的金屬化專業(yè)知識，ALTUS Halo是20多年來原子層沉積領(lǐng)域最重大的突破。它將泛林的四站模塊架構(gòu)和ALD技術(shù)的新進(jìn)展結(jié)合在一起，為大批量生產(chǎn)提供了工程化的低電阻率鉬沉積，這是新興的、未來的芯片變化（包括千層3D NAND、4F2 DRAM、先進(jìn)GAA邏輯電路）的關(guān)鍵要求�！� 據(jù)悉，ALTUS Halo已在多家領(lǐng)先的芯片制造商處進(jìn)行了資格認(rèn)證和爬坡，并獲得了積極反饋。這些制造商表示，ALTUS Halo的引入將顯著提升他們的生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量，為他們在激烈的市場競爭中贏得更多優(yōu)勢。 |
