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通過技術(shù)和Equipment Intelligence（設(shè)備智能）的創(chuàng)新，Vantex重新定義了高深寬比刻蝕，助力芯片制造商推進3D NAND和DRAM的技術(shù)路線圖。 泛林集團 (Nasdaq: LRCX) 發(fā)布了專為其最智能化的刻蝕平臺Sense.i所設(shè)計的最新介電質(zhì)刻蝕技術(shù)Vantex�；诜毫旨瘓F在刻蝕領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，這一開創(chuàng)性的設(shè)計將為目前和下一代NAND和DRAM存儲設(shè)備提供更高的性能和更大的可延展性。 3D存儲設(shè)備通常被應(yīng)用于例如智能手機、顯卡和固態(tài)存儲驅(qū)動等。芯片制造商們一直以來都在通過縱向增加設(shè)備尺寸和橫向減少關(guān)鍵尺寸(CD)持續(xù)降低先進技術(shù)產(chǎn)品的位成本，將3D NAND和DRAM中的刻蝕深寬比提升至更高水平。 Vantex的全新腔室設(shè)計能夠以更高的射頻(RF)功率刻蝕更高深寬比的器件，提升產(chǎn)能，降低成本。更高的功率和射頻脈沖技術(shù)的結(jié)合可以實現(xiàn)嚴苛的CD控制，從而改進器件功能。 根據(jù)3D NAND設(shè)備的技術(shù)路線圖，每一代刻蝕都需要實現(xiàn)更大的深度，這也推動了提升刻蝕輪廓均勻性的需求。Vantex技術(shù)控制了刻蝕的垂直角度，以滿足這些3D器件結(jié)構(gòu)設(shè)計密度要求，并在整個300mm晶圓上實現(xiàn)高良率。 “10多年來，泛林集團一直在高深寬比刻蝕領(lǐng)域保持行業(yè)領(lǐng)先，我們所獨有的經(jīng)驗使Vantex的腔室設(shè)計從一開始就能夠為未來的許多技術(shù)節(jié)點提供可延展性和創(chuàng)新性�！� 泛林集團高級副總裁、刻蝕產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Vahid Vahedi表示，“Vantex重新定義了刻蝕平臺性能和生產(chǎn)效率的行業(yè)標桿，這一突破性的刻蝕技術(shù)對于客戶來說非常有吸引力。” 泛林集團Sense.i刻蝕平臺具有Equipment Intelligence（設(shè)備智能）功能，可以從數(shù)百個傳感器收集數(shù)據(jù)，監(jiān)測系統(tǒng)和工藝性能。借助Sense.i系統(tǒng)的高帶寬通信，Vantex刻蝕腔室在每個晶圓中采集的數(shù)據(jù)多于市場上其他任何設(shè)備——它能夠更有效地分析和利用數(shù)據(jù)，以提高晶圓上和晶圓間的性能。 泛林集團將持續(xù)向存儲器行業(yè)的領(lǐng)軍客戶提供Sense.i平臺上的Vantex以期獲得客戶認可和重復(fù)訂單，助力客戶在2021年實現(xiàn)高量產(chǎn)。 
圖注：泛林集團Vantex新型刻蝕腔室搭載其行業(yè)領(lǐng)先的Sense.i刻蝕平臺 |
