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臺(tái)積電2nm工藝技術(shù)泄密事件震動(dòng)全球半導(dǎo)體業(yè)

發(fā)布時(shí)間:2025-8-7 10:14    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 臺(tái)積電 , 2nm
全球半導(dǎo)體代工龍頭臺(tái)積電近日陷入一場(chǎng)前所未有的技術(shù)安全危機(jī)。8月5日,臺(tái)積電發(fā)布聲明證實(shí),其最先進(jìn)的2納米芯片制造工藝核心機(jī)密遭內(nèi)部人員竊取,涉案人員通過(guò)遠(yuǎn)程辦公漏洞將關(guān)鍵技術(shù)資料外傳至日本企業(yè)東京威力科創(chuàng)(TEL),引發(fā)行業(yè)對(duì)全球芯片技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)格局的深度擔(dān)憂(yōu)。

技術(shù)竊取路徑曝光:遠(yuǎn)程辦公成漏洞突破口

據(jù)臺(tái)積電內(nèi)部調(diào)查及臺(tái)灣檢方披露,此次泄密事件涉及9名員工,包括3名2納米試產(chǎn)線(xiàn)工程師和6名研發(fā)中心人員。調(diào)查顯示,涉案人員利用居家遠(yuǎn)程辦公期間,通過(guò)違規(guī)連接內(nèi)網(wǎng)系統(tǒng),使用手機(jī)拍攝超過(guò)400張制程整合技術(shù)照片,并將資料分批傳送給東京電子(TEL)相關(guān)人員。其中,一名已跳槽至TEL的臺(tái)積電前員工被指為關(guān)鍵中間人,其利用在職期間積累的人脈網(wǎng)絡(luò),與現(xiàn)職研發(fā)人員勾結(jié),形成跨企業(yè)技術(shù)竊取鏈條。

臺(tái)積電資安團(tuán)隊(duì)通過(guò)異常流量監(jiān)控系統(tǒng)率先察覺(jué)端倪,發(fā)現(xiàn)部分員工在非工作時(shí)間頻繁登錄核心研發(fā)數(shù)據(jù)庫(kù),且每次操作時(shí)長(zhǎng)控制在3分鐘內(nèi)以規(guī)避追蹤。進(jìn)一步調(diào)查顯示,涉案人員不僅泄露了2納米制程的納米片架構(gòu)、良率調(diào)校參數(shù)等核心數(shù)據(jù),還涉及臺(tái)積電尚未公開(kāi)的A16強(qiáng)化版技術(shù)細(xì)節(jié)。臺(tái)灣檢調(diào)部門(mén)在7月25日至28日的突擊行動(dòng)中,于新竹科學(xué)園區(qū)星巴克門(mén)店當(dāng)場(chǎng)截獲正在交接資料的涉案人員,并查獲存儲(chǔ)有2納米制程全流程模擬數(shù)據(jù)的加密硬盤(pán)。

日企TEL卷入漩渦:Rapidus或成最大受益方

此次事件中,東京電子(TEL)作為技術(shù)接收方引發(fā)高度關(guān)注。作為全球第四大半導(dǎo)體設(shè)備商,TEL不僅是臺(tái)積電長(zhǎng)期合作伙伴,更是日本“芯片國(guó)家隊(duì)”Rapidus的核心股東與設(shè)備供應(yīng)商。值得注意的是,Rapidus在7月18日剛剛宣布成功試產(chǎn)2納米芯片,其技術(shù)突破時(shí)間點(diǎn)與臺(tái)積電泄密案高度重合,引發(fā)業(yè)界對(duì)技術(shù)來(lái)源的質(zhì)疑。

臺(tái)灣“科學(xué)及技術(shù)委員會(huì)”已將14納米以下制程技術(shù)納入核心關(guān)鍵技術(shù)清單,涉案人員可能面臨最高12年有期徒刑及1億元新臺(tái)幣罰金。盡管TEL拒絕回應(yīng)與泄密案的關(guān)聯(lián),但日本《日經(jīng)亞洲》援引知情人士消息稱(chēng),TEL總部已派出法務(wù)團(tuán)隊(duì)進(jìn)駐臺(tái)灣,協(xié)助銷(xiāo)毀可能存在的涉密資料副本。更令人震驚的是,調(diào)查顯示部分技術(shù)資料已通過(guò)TEL內(nèi)部網(wǎng)絡(luò)流向Rapidus位于北海道千歲的試驗(yàn)工廠(chǎng),該廠(chǎng)被視為日本重振半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵基地。

全球技術(shù)競(jìng)賽生變:臺(tái)積電領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)遭沖擊

臺(tái)積電原計(jì)劃于2025年底量產(chǎn)2納米芯片,該技術(shù)采用全球首創(chuàng)的納米片晶體管架構(gòu),試產(chǎn)良率達(dá)65%,顯著優(yōu)于三星和英特爾的同類(lèi)產(chǎn)品。據(jù)臺(tái)積電規(guī)劃,到2026年將投入4座2納米晶圓廠(chǎng),月產(chǎn)能突破6萬(wàn)片,覆蓋蘋(píng)果A20芯片、英偉達(dá)Blackwell GPU等高端產(chǎn)品線(xiàn)。然而,此次泄密事件可能使競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手縮短3-5年研發(fā)周期,直接威脅臺(tái)積電技術(shù)壟斷地位。

行業(yè)分析師指出,2納米制程涉及超過(guò)20萬(wàn)項(xiàng)專(zhuān)利技術(shù),單一站點(diǎn)資料難以復(fù)現(xiàn)完整流程,但若涉案人員掌握良率調(diào)校的關(guān)鍵參數(shù)組合,將極大降低競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的試錯(cuò)成本。三星電子已宣布將原定2026年的2納米量產(chǎn)計(jì)劃提前至2025年下半年,英特爾則被曝出與TEL簽訂緊急設(shè)備采購(gòu)合同,目標(biāo)直指2納米制程設(shè)備調(diào)試。

地緣政治陰影籠罩:美日技術(shù)聯(lián)盟或加速成型

事件背后,地緣政治博弈痕跡愈發(fā)明顯。就在泄密案曝光前一周,美國(guó)總統(tǒng)特朗普剛宣布將對(duì)進(jìn)口半導(dǎo)體征收100%關(guān)稅,但承諾對(duì)將生產(chǎn)遷回美國(guó)的企業(yè)豁免。島內(nèi)專(zhuān)家分析,此次技術(shù)外泄可能成為美國(guó)施壓臺(tái)積電加速技術(shù)轉(zhuǎn)移的籌碼。此前臺(tái)積電僅同意以“部分制造技術(shù)”換取與英特爾合資公司20%股權(quán),而美國(guó)政府顯然希望獲取更核心的2納米全棧技術(shù)。

更耐人尋味的是,Rapidus的崛起與美國(guó)《芯片與科學(xué)法案》資金流向存在微妙關(guān)聯(lián)。該企業(yè)成立之初即獲得日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省700億日元注資,而其股東名單中不僅包括索尼、豐田等日企巨頭,還隱現(xiàn)美國(guó)貝恩資本等金融機(jī)構(gòu)的身影。此次泄密案或成為美日構(gòu)建排除臺(tái)積電的技術(shù)聯(lián)盟的轉(zhuǎn)折點(diǎn),全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈面臨重構(gòu)風(fēng)險(xiǎn)。

截至發(fā)稿,臺(tái)積電美股股價(jià)單日下跌2.73%,市值蒸發(fā)超300億美元;東京電子日股重挫3.77%,創(chuàng)年內(nèi)最大跌幅。這起被臺(tái)媒稱(chēng)為“半導(dǎo)體史上最嚴(yán)重泄密案”的事件,不僅暴露出先進(jìn)制程技術(shù)保護(hù)的脆弱性,更預(yù)示著全球芯片戰(zhàn)爭(zhēng)已進(jìn)入白熱化階段。
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