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在ISSCC（International Solid State Circuit Conference）國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議上，三星的舉動(dòng)令業(yè)界感 到驚訝，全球首次展示了 10nm FinFET 半導(dǎo)體制程。當(dāng)時(shí)業(yè)內(nèi)人士紛紛表示，三星有望搶在英特爾之前造出全球第一款 10nm 工藝用于移動(dòng)平臺(tái)的處理器。 實(shí)際上，作為韓國(guó)高科技巨頭，三星在半導(dǎo)體制造方面已經(jīng)非常超前，目前僅有三星一家可以正式大規(guī)模量產(chǎn) 14nm FinFET 工藝的移動(dòng)設(shè)備芯片，而此前在工藝方面極有優(yōu)勢(shì)的英特爾卻一推再推。雖然在芯片領(lǐng)域，三星在業(yè)務(wù)方面尚未上升到高通或者英特爾的高度，但三星的芯片發(fā)展可謂神速，迎來的是對(duì)統(tǒng)治級(jí)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的直接挑戰(zhàn)。 不過，如果你認(rèn)為三星首秀 10nm FinFET 工藝制程已經(jīng)夠驚艷全場(chǎng)的話，那么三星在 ISSCC 會(huì)議上的主題演講可能更令人意外。 三星：5nm 芯片對(duì)我們而言完全沒有問題 據(jù)三星的發(fā)言，該公司還將繼續(xù)推進(jìn)至 5nm 工藝制程，因?yàn)樗麄冋J(rèn)為“根本沒有困難”，而且進(jìn)一步微細(xì)化也有可能很快實(shí)現(xiàn)。 該韓國(guó)巨頭甚至表示，他們已經(jīng)確認(rèn)開始 3.2nm FinFET 工藝的工作，通過所謂的 EUV 遠(yuǎn)紫外光刻技術(shù)和四次圖形曝光技術(shù)和獨(dú)家相關(guān)途徑，可以實(shí)現(xiàn)工藝更細(xì)微化�；旧先堑难葜v內(nèi)容非常令人費(fèi)解，完全沒有真正表述究竟使用何種新材料制造這些更小納米工藝的芯片。英特爾已經(jīng)表示 10nm 之后的半導(dǎo)體制造會(huì)更復(fù)雜，再發(fā)展下去硅原子的物理極限很難突破，不排除三星的新材料解決方案是砷化銦鎵（Indium Gallium Arsenide,InGaAs）。 讓我們回到 10nm 工藝，三星稱下一代芯片尺寸將更微小，功耗更低。未來此工藝也將運(yùn)用到 DRAM 和 3D V-NAND 芯片上，三星不會(huì)放棄任何在移動(dòng)領(lǐng)域做儲(chǔ)存霸主的機(jī)會(huì)。三星表示，在 2016 或 2017 年之前暫時(shí)不會(huì)有 10nm 工藝。也就是說，首款采用 14nm 芯片的智能手機(jī) Galaxy S6，在先進(jìn)工藝方面的優(yōu)勢(shì)可能會(huì)維持兩年。 當(dāng)然，我們不排除下下一代旗艦智能手機(jī)，也就是 Galaxy S7，三星又驚人的為其搭載 10nm 工藝的處理器。 來源：weiphone |
