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三星官宣業(yè)界首款36GB HBM3E 12H DRAM:12層堆疊,容量和帶寬提升50%

發(fā)布時間:2024-2-27 15:46    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 三星 , HBM3E , DRAM
來源:EXPreview.com

去年10月,三星舉辦了“Samsung Memory Tech Day 2023”活動,展示了一系列引領(lǐng)超大規(guī)模人工智能(AI)時代的創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品,并宣布推出名為“Shinebolt”的新一代HBM3E DRAM,面向下一代人工智能應(yīng)用,提高總擁有成本(TCO),并加快數(shù)據(jù)中心的人工智能模型訓(xùn)練和推理速度。

今天三星宣布已開發(fā)出業(yè)界首款HBM3E 12H DRAM,擁有12層堆疊。其提供了高達(dá)1280GB/s的帶寬,加上36GB容量,均比起之前的8層堆棧產(chǎn)品提高了50%,是迄今為止帶寬和容量最高的HBM產(chǎn)品。



HBM3E 12H DRAM采用了先進(jìn)的熱壓非導(dǎo)電薄膜(TC NCF)技術(shù),使得12層產(chǎn)品與8層產(chǎn)品有著相同的高度規(guī)格,滿足了當(dāng)前HBM封裝的要求。這項(xiàng)技術(shù)預(yù)計(jì)會帶來更多優(yōu)勢,特別是在更高的堆疊上,業(yè)界正在努力減輕芯片裸片變薄帶來的裸片翹曲。三星不斷降低其NCF材料的厚度,并實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最小的芯片間隙(7µm),同時還消除了層間空隙。這些努力使其與HBM3 8H DRAM相比,垂直密度提高了20%以上。

三星的熱壓非導(dǎo)電薄膜技術(shù)還通過芯片間使用不同尺寸的凸塊改善HBM的熱性能,在芯片鍵合過程中,較小凸塊用于信號傳輸區(qū)域,而較大凸塊則放置在需要散熱的區(qū)域,這種方法有助于提高產(chǎn)品的良品率。

三星表示,在人工智能應(yīng)用中,采用HBM3E 12H DRAM預(yù)計(jì)比HBM3E 8H DRAM的訓(xùn)練平均速度提高34%,同時推理服務(wù)用戶數(shù)量也可增加超過11.5倍。據(jù)了解,三星已經(jīng)開始向客戶提高HBM3E 12H DRAM樣品,預(yù)計(jì)今年下半年開始大規(guī)模量產(chǎn)。
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