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來源：IT之家 韓媒 ETNews 近日報道稱，三星電子 AVP 先進封裝部門正在開發(fā)面向 AI 半導體芯片的新型“3.3D”先進封裝技術，目標 2026 年二季度實現(xiàn)量產。 韓媒給出的概念圖顯示，這一 3.3D 封裝技術整合了三星電子多項先進異構集成技術。 
▲ 圖源 ETNews 概念圖中 GPU（AI 計算芯片）垂直堆疊在 LCC（IT之家注：即 SRAM 緩存）之上，兩部分鍵合為一體，這點類似于三星電子現(xiàn)有 X-Cube 3D IC 封裝技術。
▲ 三星 X-Cube 封裝技術 而在 GPU+LCC 緩存整體與 HBM 內存的互聯(lián)中，這一 3.3D 封裝技術又與 I-CubeE 2.5 封裝技術有不少相似之處：
▲ 三星 I-CubeE 封裝技術 GPU+LCC 緩存整體和 HBM 位于銅 RDL 重布線中介層上，用硅橋芯片實現(xiàn)裸晶之間的直接連接，而銅 RDL 重布線層又位于載板上方。 這一設計在大部分位置采用銅 RDL 重布線層代替價格可達前者十倍的硅中介層，僅在必要部分引入硅橋。 接近三星電子的消息源指出，該設計可在不犧牲芯片表現(xiàn)的前提下較完全采用硅中介層的方案降低 22% 生產成本。 此外三星電子還將在這一 3.3D 封裝技術中引入面板級（PLP）封裝，用大型方形載板替代面積有限的圓形晶圓，進一步提升封裝生產效率。 韓媒認為，三星電子目標打造在價格和生產效率上均有顯著優(yōu)勢的新一代 3.3D 封裝技術，在目前由臺積電主導的先進封裝代工市場啃下更多無廠設計企業(yè)的訂單。 |
