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來源：EXPreview 隨著人工智能（AI）技術(shù)的快速發(fā)展，對芯片的需求急劇增加，推動了先進封裝和高帶寬存儲器（HBM）技術(shù)的不斷改進，從而進一步增加了晶圓的消耗量，預計將使硅片行業(yè)受益。 據(jù)Trendforce報道，環(huán)球晶圓（GlobalWafers）董事長兼首席執(zhí)行官徐秀蘭表示，AI芯片所需要的HBM存儲芯片，比如HBM3或者即將到來的HBM4，需要在芯片上做堆疊，層數(shù)從12層增加到16層，而且下面還需要一層基礎芯片，預計會大大增加晶圓的消耗。 人工智能熱潮導致全球HBM嚴重短缺，存儲器制造商今年和明年的產(chǎn)能已經(jīng)售罄，需要不斷加大資本投入，擴大HBM生產(chǎn)。有業(yè)內(nèi)人士透露，與DDR5等相同容量和工藝的存儲芯片相比，HBM芯片的晶圓尺寸增加了35%到45%。與此同時，HBM芯片所需要的制造工藝更為復雜，良品率比起DDR5低了20%至30%，這意味著相同的晶圓面積上生產(chǎn)出的合格芯片會更少。以上兩個因素疊加，導致需要更多硅片來滿足HBM的生產(chǎn)需要。 此外，先進封裝也比以往需要更多的拋光晶圓，因為封裝已經(jīng)變得立體，結(jié)構(gòu)和工藝也發(fā)生了變化，一些封裝可能需要比以前多一倍的晶圓。隨著明年先進封裝產(chǎn)能的釋放，所需的晶圓數(shù)量會有更為明顯的增長。目前可以看到像臺積電（TSMC）的CoWoS封裝變得更加流行，處于供不應求的狀態(tài)已經(jīng)很長一段時間了。 過去隨著先進半導體技術(shù)的發(fā)展和應用，芯片尺寸縮小，降低了晶圓的消耗�，F(xiàn)在因為人工智能和3D封裝的推動、導致了晶圓使用量的增加，從而促進了硅片行業(yè)的發(fā)展。值得注意的是，在硅晶圓發(fā)展的同時，HBM和先進封裝技術(shù)對質(zhì)量、平整度和純度提出了更高的要求。這也將促使硅片制造商做出相應的調(diào)整，以應對業(yè)界的發(fā)展趨勢。 |
