|
據(jù)《首爾經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，三星電子近日宣布啟動(dòng)“夢想制程（꿈의 반도체 공정）”1nm芯片研發(fā)，預(yù)計(jì)2029年后實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，旨在通過顛覆性技術(shù)突破追趕臺(tái)積電（TSMC）。 三星電子正在為下一代半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)起總攻，這標(biāo)志著韓國巨頭正在向比2nm更先進(jìn)的制程技術(shù)邁進(jìn)。盡管當(dāng)前在3nm、2nm節(jié)點(diǎn)落后于臺(tái)積電，但三星計(jì)劃通過顛覆性技術(shù)路線在2029年后實(shí)現(xiàn)1nm工藝量產(chǎn)，目標(biāo)直指AI芯片市場的爆發(fā)式增長需求。 一、打破設(shè)計(jì)框架：1納米節(jié)點(diǎn)的技術(shù)革新 1nm節(jié)點(diǎn)需要徹底突破現(xiàn)有芯片設(shè)計(jì)框架，涉及高數(shù)值孔徑極紫外光刻（High-NA EUV）等下一代設(shè)備的全面導(dǎo)入。 三星內(nèi)部已將部分參與2nm研發(fā)的工程師調(diào)任至1nm項(xiàng)目組，顯示出對(duì)該項(xiàng)目的戰(zhàn)略重視。 目前三星公開的最新制程路線圖顯示，2027年計(jì)劃量產(chǎn)的1.4nm工藝仍是其最先進(jìn)節(jié)點(diǎn)，而臺(tái)積電已于去年宣布將在2026年下半年啟動(dòng)1.6nm工藝量產(chǎn)，技術(shù)代差仍客觀存在。 二、制程良率差距拉大，三星加速技術(shù)突圍 三星在3nm和2nm工藝上與臺(tái)積電存在技術(shù)差距，臺(tái)積電的2nm工藝良率已經(jīng)超過60%，而三星的良率相對(duì)較低。 三星電子副會(huì)長李在镕上月特別強(qiáng)調(diào)“繼承技術(shù)優(yōu)先傳統(tǒng)”，要求管理層“用世界不存在的技術(shù)創(chuàng)造未來”。 這一表態(tài)被解讀為對(duì)制程競賽受挫的危機(jī)應(yīng)對(duì)，也是推動(dòng)1nm提前研發(fā)的直接動(dòng)因。 此外，三星還在加大研發(fā)投入，計(jì)劃引入高數(shù)值孔徑EUV光刻設(shè)備，以期在1nm制程上實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，從而在未來的AI芯片市場中重新確立領(lǐng)先地位。 三、AI芯片技術(shù)競賽下技術(shù)代差成新籌碼 隨著AI訓(xùn)練算力需求每6個(gè)月翻倍，芯片制程的突破成為決定性因素。 臺(tái)積電通過新增1.6nm節(jié)點(diǎn)搶占過渡期市場，而三星選擇直接跨越至1nm，試圖通過技術(shù)代差實(shí)現(xiàn)彎道超車。 三星代工事業(yè)部新任社長韓進(jìn)滿近期密集拜訪DeepX等本土AI芯片初創(chuàng)企業(yè)，顯示其正加速構(gòu)建產(chǎn)業(yè)協(xié)同。 結(jié)語：制程革命能否重塑競爭格局？ 從當(dāng)前3nm節(jié)點(diǎn)的良率差距，到2nm節(jié)點(diǎn)可能擴(kuò)大的技術(shù)代差，三星的1nm戰(zhàn)略既是技術(shù)追趕，也是路徑重塑。 高數(shù)值孔徑EUV設(shè)備的引入將使單片晶圓成本顯著增加，這種“燒錢式”技術(shù)競賽可能重塑全球代工市場格局。 對(duì)于AI芯片開發(fā)商而言，制程節(jié)點(diǎn)的突破不僅是性能提升，更是決定未來算力生態(tài)的關(guān)鍵變量。 當(dāng)臺(tái)積電在2026年啟動(dòng)1.6nm量產(chǎn)時(shí)，三星能否在2029年用1nm工藝扭轉(zhuǎn)戰(zhàn)局，這場技術(shù)賽跑的勝負(fù)或?qū)⒃谖磥砣暌姺謺浴?br /> 來源：首爾經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)、Samsung Newsroom |
